活動成果

【A主軸】教師專業成長社群活動:Pt/HfO2/Pt RRAM 元件 2020/9/1

填表日期: 109 年 09 01

社群名稱:跨域新穎研究成果融入課程教學

社群召集人:陳思翰

系所單位:電子物理學系

系所

成員姓名

授課科目/專長

電物系

陳思翰

奈米材料特性分析技術/奈米光電檢測技術

應化系

黃正良

物理化學實驗Ⅱ/奈米銀顆粒研製技術

電物系

余昌峰

實驗物理I-電路/透明導電氧化物薄膜沉積技術

電物系

黃俊達

電子學I&II/太陽能電池研製技術

電物系

高柏青

半導體元件物理/有機激光二極體研製技術

儀科中心

黃鴻基

表面電漿理論分析/FDTD場域模擬技術




社群活動

一、活動資訊:

主題:Pt/HfO2/Pt RRAM 元件

講者:余昌峰

時間:109/09/01

地點:電物二館5樓會議室

二、出席人員:社群成員   4    人,非社群成員  1   人,學生  7  人;請檢附活動簽到表

三、活動內容:

1.   由社群成員余昌峰教授進行專題演講,演講內容為電漿輔助雷射鍍膜TiO2薄膜摻雜氮在ITO電極上之RRAM元件之製程及相關檢測分析。

2.   演講結束後藉由問題與討論的時間,各成員提供研究上之建議以及進階合作之可能。此外,亦討論如何將此一部分融入課程教學之中。

3.   會中有實驗室的碩士班研究生與學士班專題生共同參與,藉以提升其研究視野,並且提出研究進行中之相關問題,尋求各位成員提供解決之方案。

四、活動Q&A:

教師提出問題:

笑氣環境下所提供之氮原子主要是取代TiO2中之氧原子還是鈦原子的晶格位置?

講者/授課人員的回答:

由XPS的量測可以發現,大部分之氮原子主要是取代晶格中氧原子的位置,鮮少是取代鈦原子的晶格位置,所以我們可以藉由氧原子的Binding Energy的變化進一步討論其RRAM特性之差異。

五、本活動與教師成長之相關分析或具體方案之說明:

1.         此次演講活動的內容主要在於探討以ITO為電極將摻雜氮之TiO2薄膜作成RRAM元件之燈絲效應,並試著利用笑氣濃度分壓的改變達到其RRAM特性最佳化製程效果。參與的老師中黃正良老師對於氧化鈦薄膜中氮摻雜的方式與主講老師充分討論,並進一步研討製程合作細節。

2.   此次活動之簡報投影片將作為109學年度『奈米材料特性分析』課程之授課講義內容。